(495) 913-32-51

market@elvees.com
124498, Москва, Зеленоград, проезд № 4922, дом 4, стр.2

Радиационно-стойкое статическое ОЗУ 1657РУ1У

Главная » Микросхемы » Радиационно-стойкие и SpaceWire » 1657РУ1У (ОЗУ 512Кх8)

  • Описание
  • Технические характеристики
  • Документация

Микросхема памяти 1657РУ1У

Микросхема 1657РУ1У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 4 Мбит с организацией 512Кх8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно-стойких приложений.

Функциональными аналогами 1657РУ1У являются микросхемы UT8R512K8 (Aeroflex), AT60142E (Atmel), HX6408 (Honeywell) и AS5C512K8 (Austin Semiconductor).

Установка для испытаний на ТЗЧ

С целью обеспечения качественного экстраполирования жизнеспособности устройства в радиационной среде, испытания микросхемы 1657РУ1У проведены на моделирующих установках.

На воздействие отдельных тяжелых заряженных частиц испытания микросхемы проводились на базе изохронного циклотрона У-400М (ОИЯИ, г. Дубна Московской области).

Облучение микросхемы проводилось стандартным набором ионов: Kr, Xe, Ar, Ne при нормальной температуре корпуса, ионами Xe при температуре 65 °С и впервые в истории отечественных испытаний ионами Bi при температуре 100 °С.



Установка для испытаний на ТЗЧ

СОЗУ 1657РУ1У является первой отечественной микросхемой, прошедшей испытания по оценке воздействия на работоспособность изделия вторичного излучения, вызванного нейтронными потоками, что является особенно актуальным для авиационной электроники.

  • Технология изготовления: 0,25-мкм КМОП процесс на базе радиационно-стойкой библиотеки ОАО НПЦ «ЭЛВИС».

  • Тип памяти: статическая, асинхронная.

  • Организация памяти 512К×8.

  • Время выборки адреса:

    • типовое 25 нс;

    • во время и непосредственно после ВВФ и радиационного воздействия не более 40 нс.

  • Типовая потребляемая мощность: 80 мВт.

  • Напряжение питания: ядро 2,5 В ±5%, периферия 3,3 В ±5%.

  • Диапазон рабочих температур: от –60 °C до +125 °С.

  • Корпус металлокерамический LCC-44; 16,5x16,5х3,15 мм.

  • Показатель герметичности 6,65∙10-3 Па∙см3/с.

  • Масса микросхемы не более 3 г.

  • Микросхема устойчива к воздействию статического электричества с потенциалом не менее 1000 В.


Характеристики радиационной стойкости

Параметр

Значение

Суммарная накопленная доза, TID

330 крад, КТЗ 500 крад

Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту отказов SEL (тиристорных эффектов):
Пороговое значение ЛПЭ при Токр.=100 °С



>99,7 МэВ∙см2/мг [Si] при угле падения 0°
>140 МэВ∙см2/мг [Si] при угле падения 45°

Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту одиночных сбоев SEU:
Пороговое значение ЛПЭ
Сечение насыщения при ЛПЭ=6 МэВ∙см2/мг [Si] ÷ 69 МэВ∙см2/мг [Si] для углов падения 0°, 30°, 45°


3,9 МэВ∙см2/мг [Si]
1,2Е-08 см2/бит ÷ 5,4Е-08 см2/бит

Стойкость к воздействию протонов:
Пороговая энергия эффекта SEU
Сечение насыщения эффекта SEU


12 МэВ
3,5Е-14 см2/бит

Стойкость к воздействию нейтронов с энергией 14,7 МэВ:
Эффект SEL
Сечение насыщения эффекта SEU


Отсутствует
<1,1E-14 см2/бит

Характеристики радиационной стойкости

7.И1, 7.И7

2*4Ус

7.И6,

2*4Ус ВПР не более 0,4 мс

7.И8

УБР 0,0014*4Ус

7.С1, 7.С4

4Ус

Название документа

Дата

Размер

Скачать

Микросхема интегральная 1657РУ1У. Краткая информация

23.03.2014

329 Кб

Микросхема интегральная 1657РУ1У. Техническое описание

06.03.2013

1 Mб

Микросхема интегральная 1657РУ1У. Габаритный чертеж

19.02.2013

53 Кб

Микросхема интегральная 1657РУ1У. Библиотечный элемент Altium Designer

30.04.2014

227 Кб

Вся документация