(499) 995-00-52

market@elvees.com
124498, Москва, Зеленоград, проезд № 4922, дом 4, стр.2

Радиационно-стойкое ОЗУ 1657РУ2У (предварительно)

Главная » Микросхемы » Перспективные разработки » 1657РУ2У (ОЗУ 16 Мбит)

  • Описание
  • Технические характеристики
  • Документация

Микросхема 1657РУ2У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 16 Мбит с конфигурируемой организацией 1024К×16 или 2048К×8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно-стойких приложений.

Функциональной особенностью микросхемы является использование кода Хэмминга для обнаружения и исправления ошибок в каждом из байтов 16-разрядного слова.

Качественное экстраполирование жизнеспособности устройства в радиационной среде обеспечивается испытаниями микросхемы 1657РУ2У на моделирующих установках, в том числе испытаниями на воздействие отдельных тяжелых заряженных частиц на базе изохронного циклотрона У-400М (ОИЯИ, г. Дубна Московской области).

Функциональными аналогами 1657РУ2У являются микросхемы UT8ER512K32, UT8Q512K32, UT8CR512K32 (Cobham/Aeroflex), AT68166F (Atmel).

  • Технология изготовления: 130 нм КМОП процесс на базе радиационно-стойкой библиотеки АО НПЦ «ЭЛВИС»;

  • Тип памяти: статическая, асинхронная;

  • Организация памяти 1024К×16, 2048К×8;

  • Время выборки адреса (включая время на исправление одиночных ошибок):

    • типовое 20 нс;

  • Напряжение питания: 1,2 В и 3,3 В;

  • Температурный диапазон: от –60 °C до +125 °С.

  • Потребляемая мощность:

    • типовая:

      • в режиме хранения: 6…12 мВт;

      • динамическая: 143…155 мВт;

    • максимальная:

      • в режиме хранения: 151 мВт;

      • динамическая: 390 мВт;

  • Рабочее пониженное атмосферное давление 10-6 мм рт.ст.;

  • Показатель герметичности 6,65∙10-3 Па∙см3/с;

  • Корпус металлокерамический LCC-68; 24,15 x 24,15 мм;

  • Микросхема устойчива к воздействию статического электричества с потенциалом не менее 2000 В.

Характеристики радиационной стойкости

Параметр

Значение

Суммарная накопленная доза, TID

не менее 300 крад

Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту отказов SEL (тиристорных эффектов):
Пороговое значение ЛПЭ при Токр.=65 °С



>60 МэВ∙см2/мг [Si] при угле падения 0°

Стойкость к воздействиям ТЗЧ по эффекту одиночных сбоев SEU:
Пороговое значение ЛПЭ
Сечение насыщения



не менее 3,0 МэВ∙см2/мг [Si]
по результатам испытаний

Стойкость к воздействию протонов:
Пороговая энергия эффекта SEU
Сечение насыщения эффекта SEU


не менее 12 МэВ
по результатам испытаний

Стойкость к воздействию нейтронов с энергией 14,7 МэВ

по результатам испытаний

Характеристики радиационной стойкости

7.И1, 7.И7

4Ус

7.И6,

4Ус
ВПР не более 2 мс

7.И8

по результатам испытаний

7.С1, 7.С4

4Ус

Название документа

Дата

Размер

Скачать

Микросхема интегральная 1657РУ2У. Краткая информация

04.09.2019

507 Кб

Вся документация