Микросхема 1657РУ2У представляет собой статическое асинхронное КМОП ОЗУ (SRAM) емкостью 16 Мбит с конфигурируемой организацией 1024К×16 или 2048К×8, стойкое к воздействию специальных факторов и предназначенное для использования в большинстве радиационно-стойких приложений.

Функциональной особенностью микросхемы является использование кода Хэмминга для обнаружения и исправления ошибок в каждом из байтов 16-разрядного слова.

Качественное экстраполирование жизнеспособности устройства в радиационной среде обеспечивается испытаниями микросхемы 1657РУ2У на моделирующих установках, в том числе испытаниями на воздействие отдельных тяжелых заряженных частиц на базе изохронного циклотрона У-400М (ОИЯИ, г. Дубна Московской области).

Функциональными аналогами 1657РУ2У являются микросхемы UT8ER512K32, UT8Q512K32, UT8CR512K32 (Cobham/Aeroflex), AT68166F (Atmel).

• Технология изготовления: 130 нм КМОП процесс на базе радиационно-стойкой библиотеки АО НПЦ «ЭЛВИС»;

• Тип памяти: статическая, асинхронная;

• Организация памяти 1024К×16, 2048К×8;

• Время выборки адреса (включая время на исправление одиночных ошибок):

  • типовое 17 нс;

• Напряжение питания: 1,2 В и 3,3 В;

• Температурный диапазон: от –60 °C до +125 °С.

• Потребляемая мощность:

  • типовая:

    • в режиме хранения: 6…12 мВт;

    • динамическая: 143…155 мВт;

  • максимальная:

    • в режиме хранения: 151 мВт;

    • динамическая: 390 мВт;

• Рабочее пониженное атмосферное давление 10^-6 мм рт.ст.;

• Показатель герметичности 6,65∙10^-3 Па∙см³/с;

• Корпус металлокерамический LCC-68; 24,15 x 24,15 мм;

• Микросхема устойчива к воздействию статического электричества с потенциалом не менее 2000 В.

Характеристики радиационной стойкости